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N
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D660N
Tvj = -40C... Tvj max VRRM 1600 1800 2000 V 2200 V 1435 A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlastrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stostrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral It-value
Elektrische Eigenschaften
TC = 130 C TC = 97 C Tvj = 25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFRMSM
IFAVM
660 A 914 A 12800 A 10250 A 819 10As 525 10As
IFSM
It
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlakennlinie 250 A iF 3000 A on-state characteristic
Tvj = Tvj max , iF = 2,8 kA Tvj = Tvj max , iF = 650 A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vF
max. max.
2,10 V 1,12 V 0,7 V 0,5 m
V(TO) rT A= B= C= D= iR
v F = A + B i F + C ln ( i F + 1 ) + D
Sperrstrom reverse current
iF
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
5,630E-01 3,660E-04 3,066E-03 9,626E-03 max. 40 mA
Thermische Eigenschaften
Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, = 180sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180sin Kathode / cathode, DC Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthJC max. max. max. max. max. max. max. max. 0,050 0,046 0,086 0,082 0,109 0,105 C/W C/W C/W C/W C/W C/W
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case
Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,01 C/W 0,02 C/W 180 C
Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
Tvj max Tc op Tstg
-40...+180 C -40...+180 C
prepared by: H.Sandmann approved by: J.Przybilla
date of publication: revision:
2007-10-22 1
MA2-BE / 25 Apr 1994 , R.Jorke
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D660N
Mechanische Eigenschaften
F G typ. Seite 3 page 3
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
6...12 kN 82 g 11 mm
f = 50 Hz
50 m/s
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D660N
Mabild Mabild
x) Pumprohrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1
2
1: Anode/ Anode 2: Kathode/ Cathode
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D660N
Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes Z thJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Transienter Warmewiderstand Kuhlung / Cooling beidseitig two-sided Pos. n Rthn [C/W] 1 0,000138 0,000133 0,000138 0,000133 0,000138 0,000133 2 0,003592 0,001560 0,003452 0,001530 0,003692 0,001570 3 0,00447 0,01010 0,00365 0,00790 0,00505 0,01180 4 0,01050 0,07360 0,01146 0,060800 0,01588 0,10200 5 0,02730 0,37500 0,01650 0,32300 0,08024 1,96000
nmax n=1
6 0,0468 3,0300 -
7 -
n [s]
Rthn [C/W]
anodenseitig anode-sided
n [s]
Rthn [C/W]
kathodenseitig cathode-sided
n [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
R
thn
1- e
n
-t
0,12 0,10 0,08 0,06 0,04 0,02 0,00 0,001 b c
Z thJC [C/W]
a
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Warmewiderstand fur DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kuhlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kuhlung / Cathode-sided cooling
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D660N
Erhohung des Zth DC bei sinus- und rechteckformigen Stromen fur unterschiedliche Stromflusswinkel Rise of Diagramme Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Zth rec / Zth sin Diagramme Kuhlung / Cooling Zth rec [C/W] Zth sin [C/W] Zth rec [C/W] Zth sin [C/W] Zth rec [C/W] Zth sin [C/W] = 180 0,00684 0,00376 0,00682 0,00382 0,00682 0,00371 = 120 0,01181 0,00590 0,01186 0,00597 0,01178 0,00582 = 90 0,01588 0,00904 0,01598 0,00914 0,01587 0,00898 = 60 0,02223 0,01479 0,02235 0,01488 0,02227 0,01475 = 30 0,03326 0,02643 0,03339 0,02654 0,03340 0,02652
beidseitig two-sided
anodenseitig anode-sided
kathodenseitig cathode-sided
Zth rec = Zth DC + Zth rec Zth sin = Zth DC + Zth sin
3.500 3.000 2.500 iF [A] 2.000 1.500 1.000 500 0 0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 VF [V] 1,7 1,9 2,1 2,3
Durchlasskennlinie
Tvj = Tvj max
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
2500
Datenblatt / Data sheet
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Durchlassverluste
2000
c b a
PFAV [W]
1500
f
e
d Parameter: a - DC b - sin 180el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120 el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60el (M 6) e - sin 60el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
1000
500
0 0 200 400 600 800 IFAV [A] 1000 1200 1400 1600
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV) Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling
180 160 140 120 T C [C] 100 80 60 40 20 0 200 400
f e
Tc beidseitig
Parameter: a - DC b - sin 180el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120 el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60el (M 6) e - sin 60el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
d
c
b
a
600
800 I FAV [A]
1000
1200
1400
1600
Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV) Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
10000 Qr [As]
Datenblatt / Data sheet
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Qr Diagramm
iFM = 1600A 800A 400A 200A 100A 50A
1000
100 0,1 1 10 -di/dt [A/s] 100
Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr =f(-di/dt) Tvj= Tvjmax , vR 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM RC-Glied / RC-Network: R = 2,7, C = 1,5F
12
10
8 IF(OV)M [kA]
6 0-50V 4 0,33 VRRM 0,67 VRRM 2
0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhangigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl fur eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Ruckwartsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
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